MOS管和IGBT管的區別在哪里？
來源：立深鑫電子????????發布時間：07-02????????點擊：
摘要 : IGBT實際就是MOS管和晶體管三極管的組合，MOS管存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。
什么是MOS管？
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應晶體管，由于這種場效應管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應管。
MOS管又可分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
有的MOS管內部會有個二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續流二極管。
什么是IGBT管？
IGBT管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復合型半導體器件。
IGBT管的電路符號至今并未統一，畫原理圖時一般是借用三極管、MOS管的符號，這時可以從原理圖上標注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。
IGBT管內部的體二極管并非寄生的，而是為了保護IGBT脆弱的反向耐壓而特別設置的，又稱為FWD（續流二極管）。
MOS管和IGBT管的結構特點？
MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。
IGBT是通過在MOS管的漏極上追加層而構成的。
IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOS管和晶體管三極管的組合，MOS管存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。
另外，相似功率容量的IGBT和MOS管，IGBT的速度可能會慢于MOS管，因為IGBT存在關斷拖尾時間，由于IGBT關斷拖尾時間長，死區時間也要加長，從而會影響開關頻率。
