VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流?。?.1μA左右），還具有耐壓高。

根據場效應MOS管管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等

各類型場效應管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接人電路中，要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是ＰＮ結，Ｎ溝道管柵極不能加正偏壓；Ｐ溝道管柵極不能加負偏壓，等等。

電子元器件，是通信、計算機及網絡、數字音視頻等系統和終端產品發展的基礎。我國電子信息產業迅速發展，電子元器件行業進入快速發展階段，國家對行業的重視度不斷加大。電子元器件上游包括磁性材料、半導體材料等，下游的終端產品市場包括消費電子、通訊設備、汽車電子等。

工程師要想保證設計可靠，必須要在NMOS柵極和PMOS柵極添加上拉電阻，同時系統也要安全防護。但是如果忽略電阻開路的問題，就會使原本作為保護者的上拉電阻變成MOS管過熱的殺手。