一文詳解LDO芯片四大重要參數
來源：立深鑫電子????????發布時間：06-05????????點擊：
摘要 : 在電子設計中，我們經常需要用到不同的直流電壓給不同器件供電，其中用的最多的就是通過LDO芯片來實現得到不同的直流電壓輸出，因為成本低、性能好，且使用起來也很簡單，讓LDO芯片用的也越來越多，幾乎每款電子產品里都有其身影。
在電子設計中，我們經常需要用到不同的直流電壓給不同器件供電，其中用的最多的就是通過LDO芯片來實現得到不同的直流電壓輸出，因為成本低、性能好，且使用起來也很簡單，讓LDO芯片用的也越來越多，幾乎每款電子產品里都有其身影。
使用的極其廣泛，但是說起LDO芯片的參數，大家都是一知半解，LDO芯片的參數如果不及時搞清楚，對于以后產品的選型都有很大的阻礙，今天就由立深鑫電子帶領大家一起去探索LDO芯片的四大重要參數，看完之后，相信你會受益良多。
1、PSRR(電源電壓抑制比)
PSRR是許多LDO芯片數據手冊中的公共技術要求，有些手冊里可能未列出該參數。它規定了某個頻率的AC元件從輸入到LDO芯片輸出的衰減程度，通俗的講，是指LDO輸出對輸入紋波噪聲的抑制作用，這也是很多場合在DC/DC后級另加一顆LDO芯片的原因（特別是后面接模擬傳感器或者ADC/DAC時）。
高PSRR的LDO芯片對輸出紋波的抑制效果還是很明顯的。
2、Transient response(動態性能)
一些應用場合，負載變化劇烈，那么這時候這個參數就非常重要了，除了通過增加輸出電容來確保動態性能外，也盡量選用動態性能好的LDO芯片。
3、Thermal（溫度性能）
大家都知道LDO芯片工作效率相對DC-DC穩壓芯片而言很低，那怎么去校驗一個LDO芯片是否合適呢？首先計算功耗Pd=（Vin-Vout）Iout，其次計算溫升，一般芯片手冊里會說明溫度性能與溫升的計算公式，總之一句話，不能因為LDO芯片帶負載工作時在指定的工作溫度范圍內燒壞了。這里要強調的是不同的封裝，其LDO芯片的溫度性能是不一樣的。
4、IQ（即靜態電流）
一般電池供電的場合對靜態電流會有比較高的要求，一般LDO芯片的靜態電流的大小與芯片的其他性能成反關系，如低噪聲，高電源電壓抑制比，動態性能好的LDO芯片靜態電流都偏大一些。低IQ的LDO芯片做的好的話，<100nA。
怎樣？一個看似簡單的LDO芯片沒想到會有這么多性能指標要考慮吧，在好的設計精湛的設計里，每一個元器件的選用，所處位置，值為多少，什么型號，那都是重要而必要的，都有其科學性，不可隨意替換。
