隨著移動產品、打印機、PC，DVD、機頂盒(STB)等便攜式產品的飛速發展，消費者正要求越來越先進便捷的性能。半導體組件日益趨向小型化、高密度和功能復雜化，特別是像時尚消費電子和便攜式產品等對主板面積要求嚴格的應用很容易受到靜電放電的影響。一些采用了深亞微米工藝和甚精細線寬布線的復雜半導體功能電路，對電路瞬變過程的影響更加敏感，將導致上述的問題更加激化。
一、ESD靜電保護原理
電路保護元件存在幾種技術，當選擇電路保護元件時，若設計師選擇不當的保護器件將只能提供錯誤的安全概念。電路保護元件的選擇應根據所要保護的布線情況、可用的電路板空間以及被保護電路的電特性來決定。此外，了解保護元件的特性知識也非常必要，需要考慮的重要因素之一是器件的箝位電壓。所謂箝位電壓是在ESD器件里跨在瞬變電壓消除器(TVS)上的電壓，它是被保護IC的應變電壓。
因為利用先進工藝技術制造的IC電路里氧化層比較薄，柵極氧化層更易受到損害。這意味著較高的箝位電壓將在被保護IC器件上產生較高的應變電壓，并且增加了失效的概率。
很多保護元件都被設計成可吸收大量的能量，由于元件結構或設計上的原因也導致其具有很高的箝位電壓。由于變阻器的箝位電壓太高，他們不能夠提供有效的ESD保護。此外，由于變阻器的高電容他們也不能給高速數據線路提供保護。TVS二極管正是為解決此問題而產生的，它已成為保護便攜電子設備的關鍵性技術。
TVS二極管是專門設計用于吸收ESD能量并且保護系統免遭ESD損害的固態元件。如果應用得當，TVS二極管將限制跨在被保護器件上的電壓剛好高過額定工作電壓，但是卻遠低于破壞閾值電壓。
二、TVS管在電源中的相關參數
處理瞬時脈沖對器件損害的最好辦法是將瞬時電流從敏感器件引開。TVS二極管在線路板上與被保護線路并聯，當瞬時電壓超過電路正常工作電壓后，TVS二極管便發生雪崩，提供給瞬時電流一個超低電阻通路，其結果是瞬時電流通過TVS二極管被引開，避開被保護器件，并且在電壓恢復正常值之前使被保護回路一直保持截止電壓。當瞬時脈沖結束以后，TVS二極管自動回復高阻狀態，整個回路進入正常電壓。許多器件在承受多次沖擊后，其參數及性能會發生退化，而只要工作在限定范圍內，TVS二極管將不會發生損壞或退化。
從以上過程可以看出，在選擇TVS二極管時，必須注意以下幾個參數的選擇：
1. 最小擊穿電壓VBR和擊穿電流IR。VBR是TVS最小的擊穿電壓，在25℃時，低于這個電壓TVS是不會發生雪崩的。當TVS二極管流過規定的1mA電流(IR)時，加于TVS兩極的電壓為其最小擊穿電壓VBR。按TVS二極管的VBR與標準值的離散程度，可把VBR分為5%和10%兩種。對于5%的VBR來說，VWM=0.85VBR；對于10%的VBR來說，VWM=0.81VBR。為了滿足IEC61000-4-2國際標準，TVS二極管必須達到可以處理最小8kV(接觸)和15kV(空氣)的ESD沖擊，有的半導體生產廠商在自己的產品上使用了更高的抗沖擊標準。對于某些有特殊要求的便攜設備應用，設計者可以按需要挑選器件。
2、最大反向漏電流ID和額定反向關斷電壓VWM。VWM這是二極管在正常狀態時可承受的電壓，此電壓應大于或等于被保護電路的正常工作電壓，否則二極管會不斷截止回路電壓；但它又需要盡量與被保護回路的正常工作電壓接近，這樣才不會在TVS二極管工作以前使整個回路面對過壓威脅。當這個額定反向關斷電壓VWM加于TVS二極管的兩極間時它處于反向關斷狀態，流過它的電流應小于或等于其最大反向漏電流ID。
3. 最大箝位電壓VC和最大峰值脈沖電流IPP。當持續時間為20mS的脈沖峰值電流IPP流過TVS時，在其兩端出現的最大峰值電壓為VC。VC、IPP反映了TVS的浪涌抑制能力。VC與VBR之比稱為箝位因子，一般在1.2~1.4之間。VC是TVS二極管在截止狀態提供的電壓，也就是在ESD沖擊狀態時通過TVS的電壓，它不能大于被保護回路的可承受極限電壓，否則器件面臨被損傷的危險。
4. Pppm額定脈沖功率，這是基于最大截止電壓和此時的峰值脈沖電流。對于手持設備，一般來說500W的TVS二極管就足夠了。最大峰值脈沖功耗PM是TVS能承受的最大峰值脈沖功耗值。在給定的最大箝位電壓下，功耗PM越大，其浪涌電流的承受能力越大。在給定的功耗PM下，箝位電壓VC越低，其浪涌電流的承受能力越大。另外，峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續時間和環境溫度有關。而且，TVS所能承受的瞬態脈沖是不重復的，器件規定的脈沖重復頻率(持續時間與間歇時間之比)為0.01%。如果電路內出現重復性脈沖，應考慮脈沖功率的累積，有可能損壞TVS二極管。
5. 電容量C。電容量C是由TVS雪崩結截面決定的，是在特定的1MHz頻率下測得的。C的大小與TVS的電流承受能力成正比，C太大將使信號衰減。因此，C是數據接口電路選用TVS的重要參數。電容對于數據/信號頻率越高的回路，TVS二極管的電容對電路的干擾越大，形成噪聲或衰減信號強度，因此需要根據回路的特性來決定所選器件的電容范圍。高頻回路一般選擇電容應盡量小(如LCTVS、低電容TVS，電容不大于3pF)，而對電容要求不高的回路電容選擇可高于40pF。
三、TVS二極管在ESD靜電方面的應用
1.底部連接器的應用
底部連接器設計廣泛應用在移動消費類產品上，目前市場上應用產品主要為移動電話、PDA、DSC(數碼相機)以及MP3等便攜產品。
2、RJ-45(10/100M以太網網絡)
RJ-45接口廣泛應用在網絡連接的接口設備上，典型的應用就是10/100M以太網網絡。
3. 視頻線路的保護
目前視頻常見的輸出端口設計有D-SUB(如圖3)、DVI(28線)、SCART(19線)和D-TERMINAL(主要日系產品在用)。視頻數據線具有高數據傳輸率，數據傳輸率高達480Mbps，有的視頻數據傳輸率達到1G以上，因而要選擇低電容LCTVS，它通常是將一個低電容二極管與TVS二極管串聯，以降低整個線路的電容(可低于3pF)，達到高速率回路的要求。ONSEMI半導體公司的SRDA05-4具有良好的低電容特性，能夠提供4路ESD保護，而它的后繼產品SRDA05-6能夠提供多達6路ESD保護。SRDA05-X系列產品適用于所有高速通訊線路的保護。
4. SIM卡數據線路保護
SIM卡數據線路保護一直是各個公司的產品重點,而且專門為此類端口設計的集ESD(TVS)/EMI/RFI防護于一個芯片的器件，充分體現了片式器件的無限集成方案。
在針對不同用途選擇器件時，要避免使器件工作在其設計參數極限附近，還應根據被保護回路的特征及可能承受ESD沖擊的特征選用反應速度足夠快、敏感度足夠高的器件，這對于有效發揮保護器件的作用十分關鍵，另外集成了其它功能的器件也應當首先考慮。
5. USB保護
一般USB的ESD保護分上行(圖5)和下行(圖6)兩種情況。針對USB 1.1的ESD保護下行主要采用了NUF2101，上行ESD保護采用STF202或者NUF2221W1T2。這些產品即能滿足USB線路終端的ESD保護，還具有良好的濾波功能。
6. 音頻/揚聲器數據線路保護
在音頻數據線路保護方面(圖6)，由于音頻回路的信號速率比較低，對器件電容的要求不太高，100pF左右都是可以接受的。有的手機設計中將耳機和麥克風合在一起，有的則是分立線路。前一種情況可以選擇單路TVS二極管，而后一種情況如果兩個回路是鄰近的，則可以選用多路TVS二極管陣列，只用一個器件就能完成兩個回路的保護。
7. 按鍵/開關
對于按鍵和開關回路，這些回路的數據率很低，對器件的電容沒有特殊要求，用普通的TVS二極管陣列都可以勝任。
此外，對于便攜式設備來說，各類集成電路的復雜性和精密度的提高使它們對ESD也更加敏感，以往的通用回路設計也不再適合。合理的PCB布局最重要的是要在使用TVS二極管保護ESD損害的同時避免自感。ESD設計很可能會在回路中引起寄生自感，會對回路有強大的電壓沖擊，導致超出IC的承受極限而造成損壞。負載產生的自感電壓與電源變化強度成正比，ESD沖擊的瞬變特征易于誘發高強自感。減小寄生自感的基本原則是盡可能縮短分流回路，必須考慮到包括接地回路、TVS二極管和被保護線路之間的回路，以及由接口到TVS二極管的通路等所有因素。所以，TVS二極管器件應與接口盡量接近，與被保護線路盡量接近，這樣才會減少自感耦合到其它鄰近線路上的機會。
