MOS管選型要點
來源：立深鑫電子????????發布時間：11-30????????點擊：
摘要 : 關注導通電壓Vgs（th），一般MOS管都是用單片機進行控制，根據單片機GPIO的電平來選擇合適導通閾值的MOS管，并且盡量留有一定的余量，以確保MOS可以正常開關。
1.電壓值關注Vds最大導通電壓和Vgs最大耐壓，實際使用中，不能超過這個值，否則MOS管會損壞。
關注導通電壓Vgs（th），一般MOS管都是用單片機進行控制，根據單片機GPIO的電平來選擇合適導通閾值的MOS管，并且盡量留有一定的余量，以確保MOS可以正常開關。
2.電流值關注ID電流，這個值代表了PMOS管的能流過多大電流，反應帶負載的能力，超過這個值，MOS管也會損壞。
3.功率損耗功率損耗需要關注以下幾個參數，包括熱阻、溫度。熱阻指的是當有熱量在物體上傳輸時，在物體兩端溫度差與熱源的功率之間的比值，單位是℃/W或者是K/W，熱阻的公式為ThetaJA = （Tj-Ta）/P，和功率和環境溫度都有關系。
4.導通內阻導通內阻關注PMOS的Rds（on）參數，導通內阻越小，PMOS管的損耗越小，一般PMOS管的導通內阻都是在mΩ級別。
5.開關時間MOS作為開關器件，就會有開關時間概念，在高速電路中，盡可能選擇輸入、輸出電容Ciss&Coss小、開關時間Ton&Toff短的MOS管，以保證數據通信正常。
6.封裝根據PCB板的尺寸，選擇合適的PMOS管尺寸，在板載面積有限的情況下，盡可能選擇小封裝；盡量選擇常見封裝，以備后續選擇合適的替代料。
