MOS管升壓自舉原理及結構圖(二)
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摘要 : 在充電過程中，開關閉合（三極管導通），等效電路如圖二，開關（三極管）處用導線代替。這時，輸入電壓流過電感。二極管防止電容對地放電。由于輸入是直流電，所以電感上的電流以一定的比率線性增加，這個比率跟電感大小有關。隨著電感電流增加，電感里儲存了一些能量。
mos管充電過程介紹：
在充電過程中，開關閉合（三極管導通），開關（三極管）處用導線代替。這時，輸入電壓流過電感。二極管防止電容對地放電。由于輸入是直流電，所以電感上的電流以一定的比率線性增加，這個比率跟電感大小有關。隨著電感電流增加，電感里儲存了一些能量。
mos管放電過程
如圖，這是當開關斷開（三極管截止）時的等效電路。當開關斷開（三極管截止）時，由于電感的電流 保持特性，流經電感的電流不會馬上變為0，而是緩慢的由充電完畢時的值變為0。而原來的電路已斷開，于是電感只能通過新電路放電，即電感開始給電容充電， 電容兩端電壓升高，此時電壓已經高于輸入電壓了。升壓完畢。
說起來升壓過程就是一個電感的能量傳遞過程。充電時，電感吸收能量，放電時電感放出能量。如果電容量足夠大，那么在輸出端就可以在放電過程中保持一個持續的電流。如果這個通斷的過程不斷重復，就可以在電容兩端得到高于輸入電壓的電壓。
【mos管常用升壓電路】
mos管P 溝道高端柵極驅動器
直接式驅動器：適用于最大輸入電壓小于器件的柵- 源極擊穿電壓。
開放式收集器：方法簡單，但是不適用于直接驅動高速電路中的MOSFET。
電平轉換驅動器：適用于高速應用，能夠與常見PWM 控制器無縫式工作。
mos管N溝道高端柵極驅動器
直接式驅動器：MOSFET最簡單的高端應用，由PWM 控制器或以地為基準的驅動器直接驅動，但它必須滿足下面兩個條件：
1、VCC<Vgs,max
2、Vdc<VCC-Vgs,miller
浮動電源柵極驅動器：獨立電源的成本影響是很顯著的。光耦合器相對昂貴，而且帶寬有限，對噪聲敏感。
變壓器耦合式驅動器：在不確定的周期內充分控制柵極，但在某種程度上，限制了開關性能。但是，這是可以改善的，只是電路更復雜了。
電荷泵驅動器：對于開關應用，導通時間往往很長。由于電壓倍增電路的效率低，可能需要更多低電壓級泵。
自舉式驅動器：簡單，廉價，也有局限；例如，占空比和導通時間都受到刷新自舉電容的限制。
